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横店东磁申请太阳能电池的制备方法专利,降低接触电阻

横店集团东磁股份有限公司于2026年6月向国家知识产权局申请了一项名为“太阳能电池的制备方法”的发明专利(公开号CN122892299A)。该专利聚焦于优化太阳能电池结构,通过在基底层受光面和/或背光面构建具有区域差异化的掺杂半导体层,使接触区表面凸起且掺杂浓度高于相邻非接触区,或在背光面交替设置两类掺杂层作为接触区,再配合电极制备。其核心技术创新在于实现局

肖舟2026/10/12 06:00:37
横店东磁申请太阳能电池的制备方法专利,降低接触电阻

核心摘要

横店集团东磁股份有限公司于2026年6月向国家知识产权局申请了一项名为“太阳能电池的制备方法”的发明专利(公开号CN122892299A)。该专利聚焦于优化太阳能电池结构,通过在基底层受光面和/或背光面构建具有区域差异化的掺杂半导体层,使接触区表面凸起且掺杂浓度高于相邻非接触区,或在背光面交替设置两类掺杂层作为接触区,再配合电极制备。其核心技术创新在于实现局

国家知识产权局信息显示,横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“太阳能电池的制备方法”的专利,公开号CN122892299A,申请日期为2026年6月。

专利摘要显示,本公开涉及太阳能电池技术领域,公开了一种太阳能电池的制备方法。太阳能电池的制备方法包括:在基底层的受光面形成第一掺杂半导体层,且在基底层的背光面形成第二掺杂半导体层;第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层中,至少其一包括交替排布的接触区和非接触区,接触区的表面相对凸出于非接触区的表面,接触区的掺杂浓度大于非接触区的掺杂浓度;或,在基底层的背光面形成交替排布的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层;第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层被配置为接触区;形成第一电极和第二电极。本公开实现区域差异化处理,降低接触电阻,提升电池的开路电压和短路电流。

天眼查资料显示,横店集团东磁股份有限公司,成立于1999年,位于金华市,是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本162671.2074万人民币。通过天眼查大数据分析,横店集团东磁股份有限公司共对外投资了42家企业,参与招投标项目9630次,财产线索方面有商标信息183条,专利信息2911条,此外企业还拥有行政许可107个。

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文章来源:金融界

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