南昌大学周浪最新Solmat：无种子层铜金属化硅异质结太阳电池
本文首创无种子层铜电镀技术，通过2V/60s电化学改性ITO层，实现铜电极直接附着。在G12半片硅片上成功制备SHJ电池，效率达25.94%，较银浆电池提升0.24%。省去昂贵PVD设备与废水处理环节，显著降本增效，具备产业化应用前景。
肖舟2026/7/7 09:55:31
核心摘要
本文首创无种子层铜电镀技术，通过2V/60s电化学改性ITO层，实现铜电极直接附着。在G12半片硅片上成功制备SHJ电池，效率达25.94%，较银浆电池提升0.24%。省去昂贵PVD设备与废水处理环节，显著降本增效，具备产业化应用前景。
对于硅异质结（SHJ）太阳电池，铜（Cu）电镀技术被广泛认为是传统丝网印刷银浆金属化方案的有力替代。然而，传统铜电镀技术通常需要一层种子层来确保铜电极具备足够的附着力，这既需要额外添置昂贵的PVD设备，后续种子层的刻蚀又会产生废水，两者均导致生产成本上升。
总结
本文提出了一种创新的无种子层铜电镀金属化方法，并展示了其在硅异质结（SHJ）太阳电池中的成功应用。通过对ITO薄膜施加2 V、60 s的电化学改性处理条件，可获得均匀粗化并附着金属铟颗粒的表面，从而显著增强电镀铜与ITO层之间的附着力。据我们所知，这是首次在商业化尺寸的G12半片硅片上实现无种子层电镀铜SHJ太阳能电池的制备，批量转换效率达到25.94%，较采用丝网印刷银电极的SHJ电池绝对效率提升0.24%。本研究为降低铜电镀金属化的工艺复杂度与设备投资成本提供了一种有效策略，展现出其巨大的工业应用潜力。
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文章来源：高效硅基光电材料与器件
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